随着AI对更强大计算的需求增加，以及半导体行业进入在封装中使用多个“Chiplet”的异构时代，封装更加复杂和精密，对信号传输速度、功率传输、设计规则和封装基板稳定性的改进将至关重要。
晶圆级封装(Wafer Level Packaging，缩写WLP)是一种先进的封装技术，与打线型（Wire-Bond）和倒装型（Flip-Chip）封装技术相比 ，能省去打金属线、外延引脚（如QFP）、基板或引线框等工序。
晶圆级封装具有以下优点：
封装尺寸小
由于没有引线、键合和塑胶工艺，封装无需向芯片外扩展，使得WLP的封装尺寸几乎等于芯片尺寸。
高传输速度
与传统金属引线产品相比，WLP一般有较短的连接线路，在高速和高频情况下，表现较好。
高密度连接
WLP可运用数组式连接，芯片和电路板之间连接不限制于芯片四周，提高单位面积的连接密度。
生产周期短
WLP从芯片制造到、封装到成品的整个过程中，中间环节大大减少，生产效率高，周期缩短很多。
工艺成本低
WLP是在硅片层面上完成封装测试的，以批量化的生产方式达到成本最小化的目标。
晶圆级封装方法可分为四种不同类型：
晶圆级芯片封装（WLCSP）
可直接在晶圆顶部形成导线和锡球（Solder Balls），无需基板。
重新分配层（RDL）
使用晶圆级工艺重新排列芯片上的焊盘位置1，焊盘与外部采取电气连接方式。
倒片（Flip Chip）封装
在晶圆上形成焊接凸点2进而完成封装工艺。
硅通孔（TSV）封装
通过硅通孔技术，在堆叠芯片内部实现内部连接。
晶圆级封装的分类
RDL的全称是（ReDistribution Layer）重布线层，RDL重布线层作为晶圆级封装中的核心技术，起着XY平面电气延伸和互联的作用。RDL是将原来设计的芯片线路接点位置(I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使芯片能适用于不同的封装形式。
基于明阳在半导体领域的布局，先进封装载板与测试板进行工艺技术研发。
当前工艺主要分为tenting，mSAP，SAP三种，Tenting制程由于蚀刻工艺的限制， 通常难以制作线宽/线距小于30/30μm的线路，mSAP制程的是在超薄铜箔上进行线路铜的加厚，随后通过闪蚀工得到完整的导电线路。具有制作线宽/线距小至25/25μm及以下的产品的能力，SAP流程与MSAP类似，但底铜更薄，可制作15/20μm的产品。
RDL技术可以制作更小的线路，调整阵列排布，是未来半导体领域重点技术之一。RDL技术相较于MSAP/SAP工艺的优点是将钻孔转为光刻成孔，具备更高精度，可以制作更小的孔，且使用的光刻胶与PI胶的解析度高于干膜，可以制作更小的线路。
明阳中央实验室对RDL进行了深入的研究，建立了一条包含磁控溅射，光刻，匀胶显影，电镀蚀刻的试验线。
当前RDL技术已实现在硅基，陶瓷基，有机玻璃基板上的线路制作，可进行铜厚6-8μm，线宽线距8/10μm的二阶RDL制作，并已完成部分样品的制作与交付。
RDL工艺在显影后，电镀后，蚀刻后的过程图片，线路10μm
玻璃基板上的RDL，线宽线距25μm，表面处理镍钯金
陶瓷基板上的RDL，双面图形，线宽线距25μm
有机基板上的RDL，线宽线距6/8μm，双面图形
硅基板上的RDL，线宽线距10/10μm，pitch 85μm
玻璃基板上的三阶RDL，线宽线距10/10μm，pitch 85μm
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